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半导体器件失效时刻预测方法、装置、设备及介质

821   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:59:34
本公开实施例公开了一种半导体器件失效时刻预测方法、装置、设备及介质。本公开实施例提供的半导体器件失效时刻预测方法,包括:获取所述半导体器件的静态参数的第一阶段测试数据,其中,所述测试数据为时间序列数据;基于所述第一阶段测试数据和预先构建的差分整合移动平均自回归ARIMA模型得到所述半导体器件的第二阶段预测数据;基于所述半导体器件的第二阶段预测数据确定所述半导体器件的失效时刻。本公开实施例的技术方案解决了现有的HCI测试耗时过长,无法满足工业生产过程中产品数量大、工期紧的需求的技术问题,大幅缩短了半导体器件失效时刻的获取时长,降低了测试成本,提高了测试效率。
声明:
“半导体器件失效时刻预测方法、装置、设备及介质” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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