一种测量半导体器件欧姆接触退化失效的
芯片及测量方法,属于半导体器件失效评估领域,它由在衬底上与前者结成一体的由
半导体材料构成的平台,固接在平台表面的一排电极,在平台表面平行于电极固接有一排与电极一一对应的辅助电极构成,相邻电极之间的距离互不相等,测量方法包括在电极和辅助电极间加考核电流一段时间,断开考核电流,测量相邻电极之间的总电阻及间距,用传输线法作图并计算欧姆接触的电阻率。使用本发明的芯片和测量方法,能避免考核电流对半导体材料的损伤,准确评估欧姆接触退化程度的方法。
声明:
“测量半导体器件欧姆接触退化失效的芯片及测量方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)