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采用混合半导体技术的RCC电路

667   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:58:47
本发明公开一种采用混合半导体技术的RCC电路,涉及开关电源领域,电路采用了LDMOS器件和GaN基HEMT器件,提高电路工作频率至数百kHz。两种类型器件采用了同一个硅衬底,三晶体管共用一个晶圆,减小体积、提升可靠性控制。电路通过第三辅助绕组Na,采用正反馈模式的自激驱动腔自动为Si基LDMOS器件Q3提供驱动信号,无须控制芯片。采用了集成式的高频电流逐周期检测方案,与自激驱动腔共用一个线圈,省去了电流检测电阻,实现了无损耗电流检测。电路还采用了积分反馈法实现原边反馈,通过在关断时间内,对第一GaN HEMT器件Q1漏极电压进行积分计算,间接获取输出电压信息,从而实现对输出电压的实时精确调控。
声明:
“采用混合半导体技术的RCC电路” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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