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硅太阳能电池缺陷的涡流扫查系统

756   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:58:44
本发明公开一种硅太阳能电池缺陷的涡流扫查系统,检测缺陷引起的硅太阳能电池的电各向异性改变情况,以双探头旋转扫查得到的电各向异性分布图或单一涡流直探头的阻抗值为表征信号,对缺陷有无及损伤程度进行判定。扫查系统对硅太阳能电池的扫查方式分两种:1)双探头旋转扫查获取硅太阳能电池局部的电各向异性分布图;2)单一涡流直探头对硅太阳能电池进行回折路径或同心圆扫描。扫查过程中,探头检测信号被信号检测模块采集并传输至上位机,进行实时计算和处理后以B扫成像结果进行显示。采用本发明的技术方案,可用于硅太阳能电池缺陷的无损、快速检测,为硅太阳能电池生产质量控制提供有效手段。
声明:
“硅太阳能电池缺陷的涡流扫查系统” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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