本专利公开了一种室温黑磷太赫兹探测器。器件结构自下而上依次为:第一层是本征硅衬底、第二层是氧化物层、第三层是黑磷以及搭在黑磷上的非对称的蝴蝶形天线和天线两侧的金属电极。器件制备步骤是将机械剥离的黑磷转移到衬底上,运用紫外光刻或者电子束曝光方法结合倾角蒸镀工艺制备非对称的蝴蝶形天线和金属电极,形成黑磷太赫兹探测器。当太赫兹光照射器件时,黑磷内载流子在赛贝克电动势驱动下单向运动,产生响应信号并实现室温快速的太赫兹的探测。该探测器具有高速、宽频、高响应、高集成度等特点,可以在室温下对新鲜的树叶进行无损伤主动成像,为实现室温太赫兹探测器大规模应用奠定基础。
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