本发明公开了一种6H-SiC材料应力沿表面法线分布信息的测量方法。其技术步骤是:将6H-SiC材料水平放置于x射线衍射仪的载物台;依次对6H-SiC材料中的(0002)晶面和()晶面进行对光;以不小于50nm的步长减小x射线透射深度,并在各透射深度下获取()晶面的布拉格角;将测得的一组布拉格角代入布拉格方程,得到一组()晶面的面间距;根据这一组面间距计算6H-SiC材料应力沿材料表面法线分布的信息。本发明具有测试成本低,且对被测材料无损伤的优点,可用于精确分析应力影响材料结晶质量的机理,提高材料结晶质量。
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