本申请公开了一种存储层薄膜厚度测量方法,该方法通过在非存储器件的层叠结构上蚀刻形成存储层厚度测量槽,将3D NAND存储器的存储层薄膜厚度的测量转换为厚度测量槽内的存储层薄膜厚度的测量,因厚度测量槽内的存储层薄膜厚度可以通过椭偏光谱仪完成测量,而利用椭偏光谱仪测量薄膜厚度的技术为非破坏性无损测量技术,从而实现对3D NAND存储器中的存储层薄膜厚度的无损快速测量。
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