一种半导体器件检查装置用电流计9测定把平行电子束2照射在样品5上而在样品5上产生的电流。改变电子束3的加速电压反复测定,在数据处理装置10中,加速电压的差异导致电子束对样品5的透射率不同,由此求出与样品5的深度方向的构造有关的信息。利用这种装置可进一步改善检测由电子束的照射产生的基板电流的技术,对接触孔的详细形状和半导体器件的内部状态进行无损检查。
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