本发明公开了一种基于多对电极电容成像检测技术判别非导体缺陷深度的方法,涉及无损检测信号处理领域,包括:接收输入的多对电极电容成像检测信号,其中所述检测信号包含缺陷检测信号Y
n和无缺陷检测信号YS
n;求缺陷信号变化值△Y
n=Y
n‑YS
n,并同时判断缺陷信号变化值△Y
n是否大于等于预设阀值P
n;如果否,则判断缺陷不存在;如果是,则判断缺陷存在;对缺陷信号Y
n对应的横坐标X
n进行坐标变换,变换后的横坐标HX
n=X
n‑d
n/2;对缺陷信号Y
n进行变换,变换后的纵坐标HY
n=Y
n./YS
n;并根据横坐标HX
n与纵坐标HY
n绘制曲线图;当缺陷所对应曲线图的波谷个数为1时,确定最大电极对编号C
a;当同一缺陷所对应曲线图的波谷个数为2时,确定最小电极对编号C
b;则判定此缺陷的深度位于电极对C
a与C
b的有效检测深度之间。
声明:
“基于多对电极电容成像检测技术判别非导体缺陷深度的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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