本发明提供的检测晶片基底二维形貌和温度的装置,属于
半导体材料无损检测技术领域。该检测晶片基底二维形貌和温度的装置在N个第一分光片和N个第二分光片上分别设有镀膜区域,镀膜区域使各分光片形成不同的反射率和透过率,从而通过N个第一分光片和N个第二分光片,可以使入射到样品上并返回的N束第一种反射光分成两个方向,分别进行探测,能够得到用于检测晶片基底二维形貌的数据;该装置还通过在第一分光片或者第二分光片相应区域镀膜的方法,在第一分光片或者第二分光片上耦合温度测量装置,得到用于检测晶片基底温度的数据。由于镀膜精度极高,因此,能够保证不同传播方向PSD接收到的光的一致性。
声明:
“检测晶片基底二维形貌和温度的装置” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)