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生长在石墨烯基板上GaN纳米柱阵列的无损伤转移工艺获得柔性紫外探测器及方法

839   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-19 08:57:59
本发明公开了生长在石墨烯基板上GaN纳米柱阵列的无损伤转移工艺获得柔性紫外探测器及方法。该方法先在石墨烯衬底上外延生长GaN纳米柱阵列，得到结构A；再在结构A表面旋涂PMMA并加热固化，得到结构B；接着湿法刻蚀去除结构B的衬底层，得到PMMA/GaN纳米柱阵列/石墨烯复合薄膜，并将其转移至镀上电极结构的柔性衬底上，转移后再旋涂PMMA并加热固化，使得第一层PMMA内部的应力得到释放，实现GaN纳米柱阵列/石墨烯与柔性衬底的完美贴合，防止裂纹和皱褶的出现，最后去除PMMA，得到柔性紫外探测器。本发明实现了紫外探测器的透明化、柔性化，可用于智能穿戴、弯曲显示、柔性传感成像等领域，经济效益可观。
声明：
“生长在石墨烯基板上GaN纳米柱阵列的无损伤转移工艺获得柔性紫外探测器及方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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