本发明公开了一种用于SIM卡
芯片的无损测量方法,SIM卡芯片置于SIM卡模块内部,该无损测量方法包括以下步骤:S1,将SIM卡模块放置在超声扫描显微镜的试验台上;S2,将超声扫描显微镜开启正面扫描模式,直接对SIM卡模块进行检测;S3,将超声扫描显微镜开启反射扫描模式生成超声波图像和波形曲线;S4,对波形曲线进行图形分析;S5,根据公式计算出SIM卡芯片的厚度值;S6,根据步骤S5中计算得到的SIM卡芯片的厚度值与规定的厚度值范围进行比对。本发明的SIM卡芯片测量方法为无损检测手段,不会破坏芯片,不影响后续使用,且简单易操作、准确度高、可以大大节省测量时间和成本,有利于大批量、快速的样品检测。
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“用于SIM卡芯片的无损测量方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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