本发明涉及一种LED外延片的无损测试装置及测试方法,包括电流源及连接电流源的N极测试针、P极测试针,N极测试针、P极测试针的针头均包有焊锡、铟粒混合的铟锡方块,铟锡方块的高度h的取值范围为a≤h≤b,a是指LED外延片中N型GaN层下表面及其下面所有层的厚度和,b是指LED外延片中N型GaN层上表面及其下面所有层的厚度和。铟锡方块与现有的铟粒相比,硬度大,不易变形,导电性好;避免了每次测试时都要用新铟粒造成的材料浪费,同时,避免铟粒粘附在LED外延片表层造成的污染等问题。
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