本发明提出一种太阳电池旁路二极管参数无损检测方法,能够在非破坏的情况下获取太阳电池旁路二极管参数。该检测方法包括以下步骤:1)在无光照条件下,对太阳电池样品进行测试,获取其负IV曲线;2)建立太阳电池的等效电路模型,得到太阳电池样品在无光照条件下的负IV曲线模型;3)根据实测的负IV曲线对建立的负IV曲线模型的参数进行优化,对IV曲线进行拟合;4)优化后的负IV曲线模型中即可体现所要检测的旁路二极管D
sh的参数值。本发明具有原理简单可靠、效率高、成本低、保留样品完整性的特点,其结果可以用于太阳电池损伤测试中,对太阳电池损伤效应分析提供重要数据支持。
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