本发明属于发光材料领域,具体涉及一种离子型大位阻锑化物发光材料及其制备方法和应用。其化学式为C66H60X3SbCl6(其中X=Sb,As,P,优选Sb)。本发明的发光材料在250‑450nm有很宽的激发带,最佳激发峰位于365nm处,可以很好的与商用紫外
芯片相匹配,发射出发射峰位于619nm的明亮橙黄色发光。该材料制备方法简单易行、对环境友好,克服了传统铅基
钙钛矿材料的毒性和不稳定性;而且此离子型大位阻锑化物发光材料的成本低,反应条件温和,生产周期短,荧光量子产率高,在白光照明和高能射线探测及成像领域具有非常好的发展前景。
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