p型大面积SnTe纳米薄膜光电材料及其制备方法,涉及探测器用光电薄膜制备领域,尤其涉及一种p型SnTe纳米薄膜光电材料及其制备方法。本发明的方法通过使用SnTe单靶,利用射频磁控溅射方法,采用较低的靶材功率、无需升高衬底温度、无需后退火处理即可得到已经晶化的、符合化学计量比的p型二元化合物SnTe纳米薄膜材料。本发明制备方法简单、有效、低能耗,成膜均匀、连续,所得薄膜与基底的粘附性好,并实现了SnTe纳米薄膜光电材料的大面积制备。
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