本发明公开了一种二维硫化铼‑硫化钼垂直异质结构的制备方法,采用化学气相沉积法,以Si/SiO2为衬底,金属铼箔(Re)为铼源,
金属钼箔(Mo)为钼源,金属铼箔平铺在金属钼箔的一端表面上,衬底倒扣在金属钼箔上,与硫蒸气反应,在衬底上制备得到了以多层ReS2为底层、双层MoS2为顶层的二维ReS2/MoS2垂直异质结构。所得二维ReS2/MoS2垂直异质结材料,是由两种不同尺寸的晶体堆叠而成的晶体,呈现出显著的发光性质,可作为晶体管的沟道材料应用于超薄电子器件领域,在高效光探测器领域中有潜在的应用。
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