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通过氧消除增强N型半导体稳定性的方法

675   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:56:59
本发明公开了一种通过氧消除增强N型半导体稳定性的方法,是在半导体材料表面构筑抗氧化剂层,或者将抗氧化剂与N型半导体材料共混。抗氧化剂清除N型半导体中已有的氧及相关的物种,消除相关陷阱状态,防止N型半导体的进一步降解,使得N型半导体器件的迁移率等电学性能提升,操作稳定性和长期存储稳定性均得到提高。此外,抗氧化剂还可抑制N型半导体的光漂白,显著提高N型半导体的光化学稳定性。通过对比未覆盖和未混合抗氧化剂的N型半导体器件的性能测试发现,本发明的方法所制备的N型半导体器件的迁移率等电学性能提升,操作稳定性和长时间存储稳定性均得到提高。
声明:
“通过氧消除增强N型半导体稳定性的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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