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纳米Cu3SbS4三元半导体材料的制备方法

909   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:56:59
本发明公开了一种纳米Cu3SbS4三元半导体材料的制备方法。将高纯Cu、Sb与S粉末的混合物作为原材料密封在球磨罐,球磨罐密封后放入在手套箱里,充满惰性气体除去原材料中的氧气;将球磨罐安装在球磨磨机上球磨,调整球磨机马达的运转速率为1200r/min以上,粉末5h后纳米Cu3SbS4三元半导体材料生成。所制得的四硫锑三铜纳米晶化学成分均匀、结构单一,表面没有杂质等覆盖物,很好的显示了材料的本征物理性能。由于其良好的光电性能,使其能成为一种可实用化的光电器件材料,如可用于红外探测、红外遥感、夜视仪等领域。此外具有制备工艺简单、原料易得且价格便宜、属于对环境友好型,且可实现大批量生产等优点。
声明:
“纳米Cu3SbS4三元半导体材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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