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高压LED芯片深刻蚀工艺

799   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:56:59
本发明提供一种高压LED芯片深刻蚀工艺,包括以下步骤:(1)选取外延片,首先进行MESA制程,制作出所需要的图形;(2)进行掩膜SiO2层的沉积,同时对非腐蚀区域进行保护,然后CUT黄光制程;(3)浸泡BOE溶液,在室温条件下湿法蚀刻待刻蚀走道的掩膜硅,再进行ICP干法刻蚀;(4)去除光刻胶,之后在进行180℃下浸泡自制衬底腐蚀液下腐蚀3~5min对刻蚀走道以及侧壁进行化学湿法修饰;(5)高温腐蚀结束后冲水洗净,再于室温条件下再浸泡BOE溶液去除掩膜硅清洗甩干;(6)掩膜硅去除后,再进行后续的P硅、ITO、PN、钝化硅光刻,金属熔合后完成点测。本发明使芯片刻蚀走道与侧壁平整度明显提高,可以减少HV芯片产品的漏电风险,提高HV芯片产品的电性品位。
声明:
“高压LED芯片深刻蚀工艺” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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