本申请提供了一种含硅混阴离子非线性光学晶体,化学式为:Ba5Ga2SiO4S6,具有优良的二阶非线性光学性质,即在红外波段能够实现相位匹配,具有宽的光学带隙(如Eg=4.03eV),其粉末倍频强度可达到商用材料AgGaS2的0.65倍,且其激光损伤阈值是AgGaS2晶体的17.5倍,很好地实现了大的二阶倍频系数和宽的光学带隙的平衡,且制备方法简洁,在激光频率转换、近红外探针、光折变信息处理等高科技领域有着重要的应用价值,尤其是用于红外探测器和红外激光器。
声明:
“含硅混阴离子非线性光学晶体及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)