本发明公开了一种两步法制备二硫化钼薄膜的工艺。其步骤:A、对衬底表面进行清洗;B、称取三氧化钼粉末放置在石英舟内,置于管式炉内;将衬底置于装有三氧化钼的石英舟下游;C、称取硫粉于料瓶中,将伴热带缠绕在料瓶外围且置于管式炉体外,料瓶中的进、出气管接入管式炉的进气管路中;D、抽真空,通入Ar将管式炉加热,进行第一步沉积;E.第一步沉积结束后,进行第二步沉积;F、将料瓶加热,然后通入Ar进行三氧化钼的硫化;G.将料瓶与管式炉自然降至室温,取出样品进行测试。采用本工艺,避免了传统化学气相沉积过程中硫的蒸发时间的不可控所导致的三氧化钼的提前硫化,采用两步法制备二硫化钼薄膜,能够使整个反应过程更加可控。
声明:
“两步法制备二硫化钼薄膜的工艺” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)