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相变存储器芯片的封装方法

925   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:56:56
本发明公开了相变存储器芯片的封装方法,具体为:首先将需要封装的芯片固定在封装管壳内,然后采用超声键合技术将芯片的电极与管壳的引脚一一相连,最后使用屏蔽盖将其与外界隔离。本发明由于超声键合不需要一个临界键合温度,可在常温下进行,因此对相变存储器芯片本身特性不会有影响;键合时不加电流,不发生熔化,对材料的物理、化学性能没有任何影响,不会形成任何化合物而影响器件的性能,能保持其清洁度,不需经繁琐的清洗处理而直接进行封装,从而达到稳定性好、精度高、重复性好的测试需求。
声明:
“相变存储器芯片的封装方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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