本发明公开了一种垂直结构LED的衬底剥离方法,该垂直结构LED包括依次层叠的高掺硅层、LED
芯片层和硅衬底层,该方法包括以下步骤:1)首次超声清洗;2)研磨:使用金刚石磨盘对硅衬底层进行研磨,设置减薄量为硅衬底层总厚度的20?90%;3)再次超声清洗;4)刻蚀:使用感应耦合等离子体对残余硅衬底层进行刻蚀,刻蚀腔压力为10?3?10?5Pa,刻蚀气体为SF6。本方法采用物理研磨与化学刻蚀相结合的方式,以去除垂直结构LED的硅衬底,而对LED芯片层或高掺硅层几乎没有影响,可提高LED器件性能,可广泛应用于LED、LD、光电探测器、
太阳能电池等领域。
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