本发明公开一种碳化硅外延片去除外延再生衬底的方法,包括:(1)测量外延片的总厚度、平整度最大值以及其外延层上多个点的厚度;(2)计算外延平均厚度、减薄厚度;(3)根据外延平均厚度,依次通过粗砂轮对外延层进行第一减薄处理以及通过细砂轮对外延层进行第二减薄处理,或者直接通过细砂轮对外延层进行第二减薄处理;(4)通过双面刷洗机对减薄处理后的外延片的两面进行冲刷;(5)对多个外延片同时进行至少一次化学机械抛光,以完全去除各外延片的外延层。本发明的方法能够加工更高效、精确更高的去除外延层,保留衬底厚度,并提高CMP的加工效率和质量,实现不合格外延片再生衬底的重利用。
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