本发明公开了一种改善多晶黑硅太阳电池晶向间差异的工艺方法,此方法通过控制黑硅工艺中对硅片进行碱抛光处理的碱性溶液的浓度、温度及反应副产物的积累量来控制硅片在此溶液中的反应程度,达到降低
多晶硅片各晶向间绒面差异的目的,所制得的硅片在经PECVD沉积氮化硅后表面具有常规多晶电池的颜色一致性。所述工艺方法由下列步骤组成:第一步:碱抛光;第二步:正常湿法黑硅制绒。此方法的碱抛光槽体可以定量补加化学品、水,可以定量排放溶液;此方法通过控制碱性溶液的浓度、温度及反应副产物的积累量解决黑硅电池各晶向差异大的问题。此方法工艺简单,效果明显,SEM测量碱抛光后的各晶向绒面大小,对比常规工艺标准偏差明显降低,且制得的电池的表面颜色一致。
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