一种半导体装置、半导体结构的形成方法,其中所述半导体结构的形成方法,包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成介质层;采用化学机械研磨工艺平坦化所述介质层;进行测量步骤,测量平坦化后的介质层厚度;判断测量的介质层厚度是否达到目标厚度,若平坦化后的介质层的厚度未达到目标厚度,获得测量的介质层的厚度与目标厚度的差异值,并基于该差异值进行沉积步骤,在平坦化后的介质层上形成第一补偿介质层;若平坦化后的介质层的厚度达到目标厚度,则结束。本发明的方法通过自动测量和反馈的方式形成第一介质补偿层,提高了形成的介质层厚度的精度。
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