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零欧姆柱状电阻的制备方法

858   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:23:05
本发明公开一种零欧姆柱状电阻的制备方法,包括以下步骤:S1、采用化学镀镍工艺,在陶瓷基体表面镀制内电阻层,使内电阻层阻值小于1Ω;S2、在陶瓷基体两端压接帽盖;S3、采用电镀镍工艺,在内电阻层表面镀制外电阻层,外电阻层与内电阻层共同构成零欧姆柱状电阻的电阻膜,使电阻膜的阻值小于0.05Ω;S4、在外电阻层表面涂覆绝缘层;S5、在帽盖表面电镀锡层,得到所述零欧姆柱状电阻;本发明结合化学镀镍工艺与电镀镍工艺,可以快速使镍层厚度增加,使得外电阻层与内电阻层共同构成的电阻膜阻值最低可以做到0.01~0.03Ω,可以完全满足零欧姆电阻测试小于0.05Ω的要求,且工艺简单,成本低廉。
声明:
“零欧姆柱状电阻的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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