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在B位进行高熵化设计的高介电常数陶瓷及其制备方法

956   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:23:05
本发明公开了一种在B位进行高熵化设计的高介电常数陶瓷及其制备方法,属于高熵陶瓷材料技术领域。本发明所述高熵陶瓷材料的化学式为Pb(Zr0.25Ti0.25Sn0.25Hf0.25)O3,制备过程为按照设计的化学计量比分别称量PbO、TiO2、ZrO2、SnO2、HfO2,之后进行湿法球磨、干燥、研磨、煅烧,对所得煅烧粉末进行二次球磨、干燥、研磨、压制成型,最后在空气中1200~1300℃温度下烧结得到致密的Pb(Zr0.25Ti0.25Sn0.25Hf0.25)O3高熵陶瓷。Pb(Zr0.25Ti0.25Sn0.25Hf0.25)O3高熵陶瓷在1kHz频率测试下,在270℃左右的温度下介电常数高达18500;Pb(Zr0.25Ti0.25Sn0.25Hf0.25)O3高熵陶瓷有望成为高介电常数的陶瓷电容器材料。
声明:
“在B位进行高熵化设计的高介电常数陶瓷及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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