本发明公开了一种理想二维费米液体系统Bi
2O
2Se单晶,属于电子材料领域。本发明所述的Bi
2O
2Se单晶的晶体结构为四方晶系,空间群为I4/mmm(139)。采用化学气相输运法(升华法)和凝固析晶法均可制备得到Bi
2O
2Se单晶。两种方法生长的Bi
2O
2Se单晶均呈片状,晶体的尺寸范围为毫米级,纯度高、化学成分均匀性好。在2K到300K的宽温度范围内,实验测得的Bi
2O
2Se晶体的电阻率与温度平方(T
2)呈正比关系,符合费米液体理论,Bi
2O
2Se单晶是一种理想二维费米液体系统。此外Bi
2O
2Se晶体的电子迁移率分别大于等于2.24×10
5cm
2V
‑1s
‑1(2K)和300cm
2V
‑1s
‑1(300K),并且在空气中具有良好的稳定性,因此在未来电子器件领域具有良好的应用前景,同时其生长方法简单,成本低廉,有利于工业化生产。
声明:
“理想二维费米液体系统Bi2O2Se单晶及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)