一种黑硅材料表面金属电极的制备方法,属于半导体光电子材料与器件技术领域。该方法包括:步骤1:化学镀前预处理;步骤2:用化学镀工艺在黑硅材料表面沉积一层过渡层;步骤3:干燥;步骤4:用蒸发或溅射工艺在过渡层上沉积金属电极层;步骤5:退火;步骤6:光刻形成电极形状。本发明利用化学镀的自催化镀膜原理,在金属电极与黑硅表面增加了一层化学镀层作为过渡层,能够提高金属电极与黑硅材料表面的结合力,降低接触电阻;本发明用于基于黑硅材料的硅光电探测器或
太阳能电池,能有效提高器件效率及响应速度且制备工艺简单、成本较低。
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