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倍半氧化物单晶光纤及其制备方法与应用

858   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:14:35
本发明涉及倍半氧化物单晶光纤及其制备方法与应用,该光纤的化学组成为掺杂荧光离子的氧化镥单晶,所述的荧光离子为Tm3+、Yb3+或Ho3+。直径范围:0.7‑2.0mm,长度>10cm。本发明采用激光加热基座法生长氧化镥单晶光纤,其熔点高达2510℃。本发明掺杂Tm3+、Yb3+、Ho3+氧化镥单晶光纤结合了单晶光纤高热导率、高硬度、高强度、高韧性、及稳定的化学性能等优良的物化性能,和Tm3+、Yb3+、Ho3+荧光掺杂离子灵敏度高和频带宽等优点,可用作制备新型的高温荧光探测材料。
声明:
“倍半氧化物单晶光纤及其制备方法与应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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