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高Q高FoM的金属介质辅助GMR的折射率传感芯片

584   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:11:51
本发明公开了一种高Q高FoM的金属介质辅助GMR的折射率传感芯片,所述的折射率传感芯片分为四层结构,第一层为底层的透明介质基底,第二层为金属薄膜层,第三层介质光栅层,第四层为高折射率介质光栅层;其中,介质光栅层和高折射率介质光栅层为周期性光栅阵列,光栅周期同为p,光栅占空比同为q,厚度分别为t1和t2,其中t1<t2;通过调整芯片的结构参数,包括金属薄膜层厚度和高折射率介质光栅层的光栅参数及厚度,在Q值较低的GMR(Guided‑Mode Resonance)共振峰的基础上,衍生出一个高Q的共振峰;该高Q共振峰处伴随着相位突变,高Q共振峰具备偏振敏感性。基于本发明可实现高灵敏的折射率传感,对疾病诊断、药物研发、生物化学检测等领域具有发展性的意义。
声明:
“高Q高FoM的金属介质辅助GMR的折射率传感芯片” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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