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基于脉冲激光沉积的相变薄膜的制备方法

945   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:01:31
本发明公开了一种基于脉冲激光沉积的相变薄膜的制备方法,基于脉冲激光沉积设备,包括以下步骤:在真空条件下,利用激光照射旋转靶材进行预打靶,然后在旋转硅基底上沉积Ge2Sb2Se4Te1薄膜。本发明是通过脉冲激光沉积制备的新型相变材料Ge2Sb2Se4Te1,保证了合金薄膜中各个元素较为理想的组分比,并通过特定温度特定时间的退火实现了Ge2Sb2Se4Te1在逐渐相变过程中的折射率变化情况,在1550nm处实现了优度值FOM=5.2,优度值为相变前后折射率的变化与消光系数的变化之比,反映了相变材料的相变性能。对于本发明提供的基于脉冲激光沉积制备的新型相变材料Ge2Sb2Se4Te1,研究了其相变前后的形貌变化以及晶态情况下的晶格结构,并且分析了相变前后元素化学态度的变化情况,揭示了Ge2Sb2Se4Te1的相变机理。
声明:
“基于脉冲激光沉积的相变薄膜的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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