本发明一种碳化硅晶片的抛光液,其中各组分所占重量百分比为:二氧化硅抛光液10-30%,粒径为50-100nm;纳米级金刚石研磨液0.1-10%,粒径为50-200nm;辅助氧化剂3-20%;pH调节剂0.5-10%;去离子水为余量;混合后的所述碳化硅晶片的抛光液pH值范围为7-9。适用于对SiC晶片进行化学机械抛光。该抛光液的特点是去除速率快(可在1-3小时内完成)、加工出的碳化硅晶片较光亮,表面强光灯观测无明显划痕且平整、均匀,表面粗糙度经原子力显微镜检测可稳定达到<0.3nm。
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