本发明公开了一种MBE外延片生产方法,包括如下步骤:步骤S1、衬底处理、步骤S2、生长介质层、步骤S3、热化学处理、步骤S4、生长氮化物润湿层、步骤S5、依次生长AlGaN缓冲层、n‑GaN层、InGaN/GaN MQWs量子阱层和p‑GaN层、步骤S6、检测合格后,包装。本发明公开的MBE外延片生产方法工艺简单,操作控制方便,耗能低,对设备依赖性小,适合工业化大规模生产;通过该生产方法制成的MBE外延片表面质量好、缺陷少,衬底易去除,
电化学性能优异。
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