一种磷化镓晶片双面抛光方法,它包括以下步骤:(1)清洗:在清洗液中超声清洗晶片,清洗温度在50-100℃之间;(2)贴片;(3)磷面抛光:将冷却后的抛光盘放于抛光布上,用抛光臂固定好抛光盘,在抛光压力为10-50PSI,抛光液的流量为10-40ML/MIN,温度为5-25℃下进行抛光,厚度合格后冲水;(4)去片、粘片及进行另一面抛光;(5)清洗检验。本发明优点:方法简单实用,可操作性强,所使用的化学试剂低成本材料,不会对环境和人体造成危害,抛光成品率85%以上。通过该方法抛光所得磷化镓抛光晶片总厚度变化不大于6UM,翘曲度不大于25UM,晶面平整度不大于5UM,在相应光源下均末检测到沾污、雾、划道、颗粒、裂、橘皮、鸦爪等缺陷。
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