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区熔定向凝固法制备磁驱动记忆合金单晶

718   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:29:47
一种区熔定向凝固法制备磁驱动记忆合金单晶, 它是采用区熔定向凝固的方法,通过控制熔区长度、温度梯度和晶体生长速度,制备Ni50-58Mn20-30Ga20-25合金单晶,其工艺路线是:(1)真空感应法熔炼母合金,背底真空度达到10-2-10-3Pa,然后充氩气至0.3-0.7×103Pa;(2)真空感应炉里直接铸棒;(3)进行区熔定向凝固,控制熔区长度在10-20毫米,凝固温度梯度在200-1000K/cm,晶体生长速度为1-20mm/min;(4)制备出NiMnGa合金单晶;(5)用化学分析或电子探针(能谱)测定化学成分;(6)用热分析系统测量马氏体相变温度,磁致伸缩测量系统测定磁驱动效应。采用区熔定向凝固的方法,有效地制备出NiMnGa合金单晶,合金沿轴向的成分偏差可控制在0.3%范围内,马氏体相变温度偏差小于5℃。
声明:
“区熔定向凝固法制备磁驱动记忆合金单晶” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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