本发明公开了一种半导体非球面加工方法,其包括以下步骤:1)对待加工的非球面进行分析;2)根据MRP,结合工作函数,确定出数控小磨头的工作参数,所述MRP为化学试剂在待加工非球面的
半导体材料上的去除率;3)将半导体材料铣磨好最接近球面,然后固定在非球面数控加工中心上,将工作参数输入到非球面数控加工中心,对半导体材料进行抛光;4)一个周期抛光结束后,对半导体非球面进行检测,将检测数据反馈给非球面数控加工中心,重复步骤2、3、4直到半导体非球面的面形精度达标。本发明公实现了对半导体非球面的面形高精度高光洁度的抛光。
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