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一维排列双面错嵌式三维探测器及其制备方法、阵列

1078   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:28:48
本发明公开了一种一维排列双面错嵌式三维探测器及其制备方法、阵列,包括第一沟槽电极和第二沟槽电极,第一沟槽电极刻蚀和第二沟槽电极分别刻蚀在第三半导体基体表面;第一沟槽电极内嵌有第一中央电极,第一中央电极和第一沟槽电极间填充有第一半导体基体;第二沟槽电极内嵌有第二中央电极,第二沟槽电极和第二中央电极间填充有第二半导体基体;第一沟槽电极和第二沟槽电极的外宽均为2RX,第二沟槽电极位于第一沟槽电极下方,且两者垂直相距d3、水平相距Rx。通过吸杂氧化工艺在芯片表面生成二氧化硅层,然后经标记与光刻将探测器图形转移到二氧化硅层上,再进行阴极电极和阳极电极的刻蚀和化学沉积扩散,最后进行损伤修复及封装。
声明:
“一维排列双面错嵌式三维探测器及其制备方法、阵列” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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