一种清洗单元的清洗效率的侦测方法,包括:提供若干批次基底,基底表面具有凹槽,凹槽的顶部宽度大于底部宽度,对不同批次基底进行如下处理:形成覆盖基底且填充满凹槽的
多晶硅材料层;对多晶硅材料层进行化学机械研磨,形成表面与基底表面齐平的多晶硅层;对研磨后的多晶硅层表面宽度进行测量,获得第一宽度;采用清洗单元对多晶硅层表面进行清洗;刻蚀多晶硅层,使多晶硅层的顶部宽度减小;对刻蚀后多晶硅层表面宽度进行测量,获得第二宽度;进行上述处理之后,按照清洗顺序,依次比较每个批次的基底所对应的第一宽度与第二宽度之间的差值;根据差值变化,判断所述清洗单元的清洗效率是否下降。上述方法可以实现对清洗单元的清洗效率的侦测。
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