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日盲紫外雪崩光电探测器及其制备方法

784   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:28:46
本发明公开了一种日盲紫外雪崩光电探测器及其制备方法,其中光电探测器的结构从下至上依次为AlN模板层、AlN缓冲层、n型Alx1Ga1‑x1N层、i型Alx2Ga1‑x2N吸收层、n型GeS分离层、i型Alx3Ga1‑x3N倍增层和p型GaN层;所述n型Alx1Ga1‑x1N层上引出有n型欧姆电极;所述p型GaN层上引出有p型欧姆电极;所述n型GeS分离层分别与i型Alx2Ga1‑x2N吸收层和i型Alx3Ga1‑x3N倍增层采用范德华力键合组合形成。本发明n型分离层采用二维材料GeS替代三维材料AlGaN与上下的i型AlGaN层通过范德华力进行键合在一起,而不是用化学外延生长方法,解决了现有技术中器件提前击穿、界面处产生极化电荷的问题,同时提高了雪崩光电探测器的响应速度。
声明:
“日盲紫外雪崩光电探测器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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