本发明公开了一种日盲紫外雪崩光电探测器及其制备方法,其中光电探测器的结构从下至上依次为AlN模板层、AlN缓冲层、n型Al
x1Ga
1‑x1N层、i型Al
x2Ga
1‑x2N吸收层、n型GeS分离层、i型Al
x3Ga
1‑x3N倍增层和p型GaN层;所述n型Al
x1Ga
1‑x1N层上引出有n型欧姆电极;所述p型GaN层上引出有p型欧姆电极;所述n型GeS分离层分别与i型Al
x2Ga
1‑x2N吸收层和i型Al
x3Ga
1‑x3N倍增层采用范德华力键合组合形成。本发明n型分离层采用二维材料GeS替代三维材料AlGaN与上下的i型AlGaN层通过范德华力进行键合在一起,而不是用化学外延生长方法,解决了现有技术中器件提前击穿、界面处产生极化电荷的问题,同时提高了雪崩光电探测器的响应速度。
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