本发明一种基于二维材料Te/MoS2异质结的光探测器的制备方法,包括以下步骤:采用机械剥离或化学气相沉积制作含有二维MoS2的衬底一;制备含有二维Te的衬底二;转移二维Te形成异质结;光探测器件制备;对制备出的光探测器件进行高压退火处理;在器件制备过程中通过减小Te/MoS2异质结中Te和MoS2的层间间距,将具有典型I型能带排列结构的Te/MoS2异质结向II型能带排列结构转变,显著提高了基于二维材料Te/MoS2异质结光探测器的光探测灵敏度。
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