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基于二维材料Te/MoS2异质结的光探测器的制备方法

648   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:27:50
本发明一种基于二维材料Te/MoS2异质结的光探测器的制备方法,包括以下步骤:采用机械剥离或化学气相沉积制作含有二维MoS2的衬底一;制备含有二维Te的衬底二;转移二维Te形成异质结;光探测器件制备;对制备出的光探测器件进行高压退火处理;在器件制备过程中通过减小Te/MoS2异质结中Te和MoS2的层间间距,将具有典型I型能带排列结构的Te/MoS2异质结向II型能带排列结构转变,显著提高了基于二维材料Te/MoS2异质结光探测器的光探测灵敏度。
声明:
“基于二维材料Te/MoS2异质结的光探测器的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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