本公开提供了一种基于
石墨烯‑CMOS单片集成的探测器
芯片的制备方法,包括:S1,在CMOS集成电路表面沉积隔离层;S2,在隔离层中刻蚀通孔,填充金属;S3,在隔离层表面溅射金属镍层;S4,在金属镍层的表面等离子增强化学气相淀积石墨烯;S5,腐蚀去除金属镍层;S6,制备电极,得到基于石墨烯‑CMOS单片集成的探测器芯片。本公开还提供了一种基于石墨烯‑CMOS单片集成的探测器芯片的红外成像系统。本公开通过引入石墨烯‑CMOS单片集成探测器芯片可以实现多光谱的红外成像,有效地解决了现有红外成像领域低成本、多光谱红外成像的技术难点。
声明:
“基于石墨烯-CMOS单片集成的探测器芯片的制备方法及系统” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)