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基于光刻模型参数预测缺陷率

1079   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:27:48
经校准的光刻模型可以被用于基于集成电路(IC)设计布局生成光刻模型输出。然后,可以从光刻模型输出至少提取化学参数。然后,经校准的缺陷率模型可以被用于基于化学参数预测针对IC设计布局的缺陷率。
声明:
“基于光刻模型参数预测缺陷率” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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