本发明公开了一种测量微量物质的方法,属于纳米
半导体材料领域。其工艺流程为:首先利用水热法制备ZnO纳米棒阵列样品,然后利用化学气相沉积法在ZnO纳米棒表面生长薄层MoS2材料,最终形成ZnO纳米棒支撑的薄层MoS2材料,利用薄层MoS2的两个拉曼振动峰E12g和A1g的间距δ作为探测参数,将待测微量物质吸附在薄层MoS2材料上,利用拉曼光谱检测δ,根据δ的变化就可以检测待测物质的含量。本发明具有制备工艺简单,反应条件温和,原料和设备的成本较低、检测精度高等优点。
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