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铟砷氮铋半导体材料、使用该材料的激光器和探测器及制备方法

911   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-19 07:25:17
本申请公开了一种铟砷氮铋半导体材料、使用该材料的激光器和探测器及制备方法，涉及半导体光电材料制备领域。所述材料包括：衬底层、缓冲层和铟砷氮铋半导体材料。通过共掺杂方式，在InAs半导体中掺入一定浓度的Bi原子和N原子，可有效调节InAs材料的禁带宽度，实现从近红外到中红外波段的覆盖，应用于光电子器件。Bi原子的掺入可使材料更易生长并更加稳定，N原子的引入可以提高Bi的溶解度。在InAs半导体中同时掺入N原子，Bi原子可以有效调节化合物的能带结构。本申请可采用常规分子束外延、金属有机物化学气相沉积等多种方法进行生长，结构和操作工艺简单，易于控制。
声明：
“铟砷氮铋半导体材料、使用该材料的激光器和探测器及制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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化学分析
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