本发明公开了一种膜厚度的检测方法,包括步骤:1)在硅衬底上,淀积一层阻挡层,并量测阻挡层厚度;2)在阻挡层表面淀积一层待测厚度的膜;3)在待测厚度的膜表面淀积光刻胶,然后,对光刻胶进行图形化,并且刻蚀待测厚度的膜至阻挡层,形成沟槽;4)淀积绝缘层以填充沟槽;5)利用化学机械研磨进行绝缘层平坦化,量测沟槽中的绝缘层厚度,即为步骤2)的膜厚度。本发明的方法使用快速简便,准确度高,测试范围广,同时,可以达到器件性能调整、标准片制备以及腔体中心化的目的。
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