本发明提供了一种金纳米刺拉曼增强检测
芯片的制备方法,其包括:准备表面干净的芯片基底;采用离子溅射的方法在芯片基底的表面喷镀一层铂颗粒;在芯片基底上滴加硝酸银溶液和氯金酸溶液,再滴加双氧水进行还原;步骤S3的反应完成后,采用去离子进行冲洗芯片,即得到金纳米刺拉曼增强检测芯片。采用本发明的技术方案,利用离子溅射和原位化学生长制备出金纳米刺拉曼增强检测芯片,方法简单,制备周期短,无表面活性剂的影响;使用的设备简单,操作方便,可以大批量制备SERS芯片,而且可以在任意基底上制备金纳米刺,可以广泛应用于生物传感、物质痕量检测等领域。
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