本发明提供一种CVD单晶金刚石位错密度的检测方法,包括单晶金刚石待测表面的研磨抛光和清洗,并通过化学腐蚀去除晶体表面机械损伤层,然后采用离子刻蚀的方法在单晶金刚石的待测表面形成位错蚀坑,对待测表面取样并对表面形貌进行检测,统计取样面积内位错蚀坑数量,最后计算得到单晶金刚石的位错密度,采用该方法可准确实现CVD单晶金刚石{100}或{111}晶面位错密度的检测。
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